Elektrotermiliste torude galvaniseerimise vase tehnoloogia kasutamine ülisuurtes PLC kiipides
Jäta sõnum
Elektrotermiliste torude galvaniseerimise vase tehnoloogia kasutamine ülisuurtes PLC kiipides
Praegu on VLSI kiipide elektroonikakomponentide joonelaiust vähendatud submikronilisele tasemele ja Moore'i seaduse järgi toimub veelgi vähenemise trend, mis toob kaasa suurema vastuolu RC viivituse ja ühenduste elektromigratsiooni usaldusväärsuse vahel. ja integraallülituste kiirus. Enamik ülisuurtest PLC-kiipidest kasutab ühenduslülina alumiiniumi, kuid alumiinium ei ole juhtivuse ja elektromigratsioonitakistuse poolest nii hea kui vask. IBM asendas alumiiniumi esmalt vasest ühendusega ja seejärel on vaseühendustehnoloogiat laialdaselt kasutatud enamikes Hiina ülisuurtes PLC-kiipides. Vaskkattel on hea juhtivus ja flip chip FC kandeplaadi elektroodid on galvaniseeritud kuldkilega läbi väljaulatuvate punktide, mis on ühendatud kiibil olevate alumiiniumelektroodidega. Vasktraadi laius kiibis on suurenenud algsest {{0}}.25 μM on vähenenud praeguseks 0.09-0.15 μm. Sellistes joonelaiuse tingimustes saavutatakse see sageli vase galvaniseerimise Damaskuse protsessitehnoloogia abil. Selle protsessitehnoloogia kasutuselevõtt võib tõhusalt vältida pragude tekkimist ning lisaks saavutada joonte ja läbivate aukude teket kiire sadestumiskiiruse ja tugeva töövõimega. Praegu on vase galvaniseerimise tehnoloogia muutunud peamiseks meetodiks suuremahuliste PLC-kiipide omavaheliseks ühendamiseks. Elektrooniliste komponentide pakendites on suurt tähelepanu pälvinud ka galvaniseerimise vase tehnoloogia. Seda tehnoloogiat on vaja eriti mõne BGA pakendi puhul. IC-pakendi kandeplaat kasutab kristallkattega õhukese kilega kandeplaati, mis on suure tihedusega mitmekihiline trükiplaat, mis kasutab juhtmestiku ja interaktiivse ühenduse loomiseks galvaniseerivaid vasekihte. Lisaks IC-pakendite kasutamisele näitab vase galvaniseerimise tehnoloogia oma töödeldavust ja ökonoomsust ka PCB-de aukude tootmisprotsessis.
www.superbheater.com
