Impulsslaser-sadestamine (PLD) vaakumelektroplastimiseks mõeldud küttetorude jaoks

Impulsslaser-sadestamine (PLD) vaakumelektroplastimiseks mõeldud küttetorude jaoks

Impulsslaser-sadestamine (PLD), tuntud ka kui impulsslaser-ablatsioon (PLA), on meetod objekti pommitamiseks laseriga ja seejärel pommitatud materjali sadestamiseks erinevatele aluspindadele, mis on vahend sademe või kile saamiseks.

Impulsslasersadestamise tehnoloogia põhimõttest ja omadustest on näha, et tegemist on suure arengupotentsiaaliga õhukese kile ettevalmistamise tehnoloogiaga. Abiseadmete ja -protsesside edasise optimeerimisega hakkab see mängima olulist rolli funktsionaalsete õhukeste kilede, näiteks pooljuhtõhukeste kilede, ülivõrede, ülijuhtide ja biokatete valmistamisel; see võib ka kiirendada õhukese kile kasvumehhanismi uurimist ja parandada õhukeste kilede pealekandmise taset. , et kiirendada materjaliteaduse ja kondenseeritud aine füüsika alast uurimistööd. Samas on see ka tõhus meetod uute õhukeste kilede valmistamiseks.

Elektriliste vaakumelektrolaadimistorude molekulaarkiirepitaksia (MBE)

Molecular beam epitaxy (MBE) on äsja välja töötatud epitaksiaalkile valmistamise meetod ja see on uus tehnoloogia kvaliteetsete kristallõhukeste kilede kasvatamiseks kristallsubstraatidel. Ülikõrge vaakumi tingimustes pihustatakse erinevate vajalike komponentidega varustatud ahjus kuumutamisel tekkiv aur, molekulaar- või aatomikiir, mis moodustub pärast kollimeerimist läbi väikese augu, otse sobiva temperatuuriga monokristall-substraadile ja samal ajal, juhtides substraadi skaneerimiseks molekulaarkiirt, saab molekule või aatomeid paigutada kiht-kihi haaval, et moodustada substraadile õhuke kile.

Selle tehnoloogia eelised on järgmised: kasutatava substraadi temperatuur on madal, kilekihi kasvukiirus on aeglane, kiire intensiivsust on lihtne täpselt reguleerida ning kilekihi koostist ja dopingu kontsentratsiooni saab muutusega kiiresti reguleerida. allikast. Selle tehnikaga on suudetud valmistada ühekristallilised õhukesed kiled, mis on nii õhukesed kui kümned aatomikihid, aga ka üliõhukesi kvantmikrostruktuuri materjale, mis on moodustatud erineva koostisega õhukeste kilede ja dopinguga vaheldumisi kasvatades.

Molekulaarkiire epitaksikat saab kasutada mitte ainult enamiku olemasolevate seadmete valmistamiseks, vaid ka paljude uute seadmete valmistamiseks, sealhulgas selliste seadmete valmistamiseks, mida on raske saavutada muude meetoditega, näiteks ülivõrestruktuuriga suure elektronide liikuvusega transistorid ja paljud kvantkaevude laserdioodid, jne. Jaama teadetetahvel, mida näeme bussis, ja suur ekraan, mida näeme staadionil, selle valgust kiirgavad elemendid on valmistatud molekulaarkiire epitaksika abil.

www.superbheater.com